1. NTMFS4941NT1G
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厂商型号

NTMFS4941NT1G 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin SO-8 FL T/R

内部编号

277-NTMFS4941NT1G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:4230
1+¥4.171
10+¥3.4941
100+¥2.2564
1000+¥1.8052
1500+¥1.5248
9000+¥1.4633
24000+¥1.4086
49500+¥1.3539
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#2

数量:261
1+¥4.8895
10+¥4.3097
100+¥3.3039
500+¥2.6117
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#3

数量:1500
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,1-3个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NTMFS4941NT1G产品详细规格

规格书 NTMFS4941NT1G datasheet 规格书
NTMFS4941NT1G datasheet 规格书
NTMFS4941N
NTMFS4941NT1G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 9A
Rds(最大)@ ID,VGS 6.2 mOhm @ 30A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 25.5nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1650pF @ 15V
功率 - 最大 910mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead)
供应商器件封装 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 8SO-8 FL
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 25 A
RDS -于 6.2@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 11.6 ns
典型上升时间 22 ns
典型关闭延迟时间 20 ns
典型下降时间 2.7 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 DFN
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 6.2@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SO-FL
最大功率耗散 7200
最大连续漏极电流 25
引脚数 8
铅形状 Flat
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 9A (Ta), 47A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.2V @ 250µA
供应商设备封装 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 6.2 mOhm @ 30A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 910mW
漏极至源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss ) @ VDS 1650pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 25.5nC @ 10V
封装/外壳 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 NTMFS4941NT1GOSCT
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 47 A
RDS(ON) 9 mOhms
功率耗散 2.56 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 SO-8FL
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
工厂包装数量 1500
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
系列 NTMFS4941N
品牌 ON Semiconductor
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
通道数 1 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance 9 mOhms
Pd - Power Dissipation 2.56 W
Id - Continuous Drain Current 47 A
技术 Si

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